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當(dāng)X射線光子進(jìn)入檢測器后,在Si晶體內(nèi)激發(fā)出一定數(shù)目的電子空穴對(duì)。產(chǎn)生一個(gè)空穴對(duì)的最低平均能量是一定的,而由一個(gè)X射線光子造成的空穴對(duì)的數(shù)目,因此,入射X射線光子的能量越高,N就越大。利用加在晶體兩端的偏壓收集電子空穴對(duì),經(jīng)過前置放大器轉(zhuǎn)換成電流脈沖,電流脈沖的高度取決于N的大小。電流脈沖經(jīng)過主放大器轉(zhuǎn)換成電壓脈沖進(jìn)入多道脈沖高度分析器,脈沖高度分析器按高度把脈沖分類進(jìn)行計(jì)數(shù),這樣就可以描出一張X射線按能量大小分布的圖譜。
時(shí)長:00:00
時(shí)間:2022-07-30 00:02:06
來源:好二三四
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